IGBT模塊作為新能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)闹匾骷?，功率范圍從幾百瓦到幾兆瓦不等，堪稱電力電子裝置的“CPU”。由于IGBT模塊的電流越大，開關(guān)頻率就會較高，模塊熱功耗也就越大，會導(dǎo)致IGBT模塊器件的損耗也比較大，使得器件的溫度過高。溫度過高，模塊的工作效率會下降，進(jìn)而影響整個工作進(jìn)度。尤其是需要連續(xù)工作的設(shè)備，對于IGBT模塊的依賴更大，需有較好的散熱系統(tǒng)來做保障，而IGBT模塊散熱不好就會直接造成損壞影響整機(jī)的工作運(yùn)行。

IGBT模塊主要由芯片、直接覆銅陶瓷層和基板構(gòu)成，層間通過焊料焊接，基板一般需要通過導(dǎo)熱硅脂與散熱器相連，行業(yè)應(yīng)用較多的是使用高導(dǎo)熱、高可靠性的導(dǎo)熱硅脂，硅脂能更好的潤濕界面減少界面熱阻從而使IGBT快速散熱，從而保證其穩(wěn)定工作狀態(tài)。

環(huán)保無毒、既具有優(yōu)異的電絕緣性、又有優(yōu)異的導(dǎo)熱性；

同時具有低油離度（趨向于零），耐高低溫、耐水、臭氧、耐氣候老化、熱阻低的優(yōu)點(diǎn)。并且?guī)缀跤肋h(yuǎn)不固化，

可在-40℃~125℃的溫度下長期保持使用時的脂膏狀態(tài)，是電子元器件理想的填隙導(dǎo)熱介質(zhì)。